FCP170N60
Modello di prodotti:
FCP170N60
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19505 Pieces
Scheda dati:
FCP170N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):227W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FCP170N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2860pF @ 380V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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