FDA38N30
FDA38N30
Modello di prodotti:
FDA38N30
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V TO-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16564 Pieces
Scheda dati:
FDA38N30.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PN
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:85 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max):312W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDA38N30
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 300V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):300V
Descrizione:MOSFET N-CH 300V TO-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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