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FDD2612
- Modello di prodotti:
- FDD2612
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14074 Pieces
- Scheda dati:
- FDD2612.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDD2612, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDD2612 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 720 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 42W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FDD2612 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 234pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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