FDD3670
FDD3670
Modello di prodotti:
FDD3670
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13666 Pieces
Scheda dati:
FDD3670.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:32 mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 83W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD3670DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD3670
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2490pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A (Ta)
Email:[email protected]

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