FDD6680
FDD6680
Modello di prodotti:
FDD6680
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14758 Pieces
Scheda dati:
FDD6680.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.3W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDD6680
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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