FDD6696
FDD6696
Modello di prodotti:
FDD6696
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17066 Pieces
Scheda dati:
FDD6696.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDD6696
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1715pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 13A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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