FDD86102
FDD86102
Modello di prodotti:
FDD86102
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14103 Pieces
Scheda dati:
FDD86102.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 62W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD86102TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD86102
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1035pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta), 36A (Tc)
Email:[email protected]

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