FDI047AN08A0
Modello di prodotti:
FDI047AN08A0
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16981 Pieces
Scheda dati:
FDI047AN08A0.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK (TO-262)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):310W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDI047AN08A0
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:138nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 75V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Tensione drain-source (Vdss):75V
Descrizione:MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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