Acquistare IXFT50N20 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXFT50N20
- Modello di prodotti:
- IXFT50N20
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12393 Pieces
- Scheda dati:
- IXFT50N20.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXFT50N20, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFT50N20 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 45 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFT50N20 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFT50N20
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 | Inchiesta |
|
IXFT50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | Inchiesta |
|
IXFT52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 | Inchiesta |
 |
IXFT52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 | Inchiesta |
 |
BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 | Inchiesta |
 |
SI2399DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 | Inchiesta |
 |
DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO252 | Inchiesta |
|
IXFT50N85XHV | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | Inchiesta |
 |
ECH8315-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 | Inchiesta |
 |
CPH6350-P-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 | Inchiesta |
 |
BMS4003 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML | Inchiesta |
|
IXFT50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 | Inchiesta |
|
IXFT50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | Inchiesta |
 |
IXFT58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | Inchiesta |
|
IXFT58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers