FDMJ1028N
FDMJ1028N
Modello di prodotti:
FDMJ1028N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15708 Pieces
Scheda dati:
FDMJ1028N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Potenza - Max:800mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WFDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDMJ1028N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

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