FDP3632
Modello di prodotti:
FDP3632
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19326 Pieces
Scheda dati:
1.FDP3632.pdf2.FDP3632.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):310W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDP3632
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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