IRF5803D2TRPBF
IRF5803D2TRPBF
Modello di prodotti:
IRF5803D2TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17729 Pieces
Scheda dati:
IRF5803D2TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:FETKY™
Rds On (max) a Id, Vgs:112 mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:IRF5803D2TRPBF-ND
IRF5803D2TRPBFTR
SP001554068
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF5803D2TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1110pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrizione espansione:P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

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