FDP8880
Modello di prodotti:
FDP8880
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14404 Pieces
Scheda dati:
1.FDP8880.pdf2.FDP8880.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:11.6 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):55W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FDP8880-ND
FDP8880FS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDP8880
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 54A (Tc)
Email:[email protected]

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