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FQA55N10
- Modello di prodotti:
- FQA55N10
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17474 Pieces
- Scheda dati:
- FQA55N10.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQA55N10, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQA55N10 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 26 mOhm @ 30.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 190W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA55N10 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2730pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 61A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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