FQA55N25
FQA55N25
Modello di prodotti:
FQA55N25
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17548 Pieces
Scheda dati:
FQA55N25.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PN
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):310W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQA55N25
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:55A (Tc)
Email:[email protected]

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