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FQB13N10LTM
- Modello di prodotti:
- FQB13N10LTM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19511 Pieces
- Scheda dati:
- FQB13N10LTM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQB13N10LTM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB13N10LTM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 6.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQB13N10LTM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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