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IRFD210PBF
- Modello di prodotti:
- IRFD210PBF
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17258 Pieces
- Scheda dati:
- IRFD210PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFD210PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFD210PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | *IRFD210PBF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFD210PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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