Acquistare FQI8N60CTU con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK (TO-262) |
Serie: | QFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
codice articolo del costruttore: | FQI8N60CTU |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1255pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |