FQP3P20
Modello di prodotti:
FQP3P20
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16052 Pieces
Scheda dati:
1.FQP3P20.pdf2.FQP3P20.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.7 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):52W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:FQP3P20
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 200V 2.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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