FQPF30N06L
FQPF30N06L
Modello di prodotti:
FQPF30N06L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20475 Pieces
Scheda dati:
FQPF30N06L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 11.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):38W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQPF30N06L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 22.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22.5A (Tc)
Email:[email protected]

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