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FQPF3N80C
- Modello di prodotti:
- FQPF3N80C
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15767 Pieces
- Scheda dati:
- FQPF3N80C.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQPF3N80C, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQPF3N80C via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 39W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQPF3N80C |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 705pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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