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GA10JT12-263
- Modello di prodotti:
- GA10JT12-263
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS SJT 1200V 25A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17183 Pieces
- Scheda dati:
- GA10JT12-263.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.5V |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 10A |
| Dissipazione di potenza (max): | 170W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | - |
| Altri nomi: | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA10JT12-263 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | TRANS SJT 1200V 25A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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