Acquistare GP1M003A050FG con BYCHPS
Acquista con garanzia
GP1M003A050FG
- Modello di prodotti:
- GP1M003A050FG
- fabbricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18720 Pieces
- Scheda dati:
- GP1M003A050FG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per GP1M003A050FG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per GP1M003A050FG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 17.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | 1560-1154-1 1560-1154-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | GP1M003A050FG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 395pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 2.5A (Tc) 17.3W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GP1M003A050FG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | Inchiesta |
 |
GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | Inchiesta |
 |
GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | Inchiesta |
|
GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | Inchiesta |
|
GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | Inchiesta |
|
GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | Inchiesta |
 |
GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | Inchiesta |
 |
GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | Inchiesta |
|
GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK | Inchiesta |
|
GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | Inchiesta |
|
GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers