GP1M003A080CH
Modello di prodotti:
GP1M003A080CH
fabbricante:
Global Power Technologies Group
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18993 Pieces
Scheda dati:
GP1M003A080CH.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):94W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:1560-1155-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:GP1M003A080CH
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:696pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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