GWM160-0055P3
Modello di prodotti:
GWM160-0055P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15561 Pieces
Scheda dati:
GWM160-0055P3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS-DIL™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3 mOhm @ 100A, 10V
Potenza - Max:-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:ISOPLUS-DIL™
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:GWM160-0055P3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL™
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:160A
Email:[email protected]

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