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HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Modello di prodotti:
- HN1B01FU-Y(L,F,T)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18218 Pieces
- Scheda dati:
- HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo transistor: | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | US6 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | HN1B01FU-Y(LFT)CT |
| temperatura di esercizio: | 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | HN1B01FU-Y(L,F,T) |
| Frequenza - transizione: | 120MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6 |
| Descrizione: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HN1B01FU-Y(L,F,T)
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