HN1B04F(TE85L,F)
HN1B04F(TE85L,F)
Modello di prodotti:
HN1B04F(TE85L,F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18649 Pieces
Scheda dati:
HN1B04F(TE85L,F).pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):30V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SM6
Serie:-
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:HN1B04F (TE85L,F)
HN1B04F(TE85LF)TR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HN1B04F(TE85L,F)
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Descrizione:TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 100mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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