HTNFET-T
HTNFET-T
Modello di prodotti:
HTNFET-T
fabbricante:
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16138 Pieces
Scheda dati:
HTNFET-T.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 100µA
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-Power Tab
Serie:HTMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 100mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tj)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:4-SIP
Altri nomi:342-1091
HTNFET-T-ND
HTNFETT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:HTNFET-T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 28V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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