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HTNFET-D
- Modello di prodotti:
- HTNFET-D
- fabbricante:
- Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13392 Pieces
- Scheda dati:
- HTNFET-D.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per HTNFET-D, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per HTNFET-D via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-CDIP-EP |
| Serie: | HTMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tj) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Altri nomi: | 342-1078 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | HTNFET-D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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