HUF76423P3
Modello di prodotti:
HUF76423P3
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16423 Pieces
Scheda dati:
1.HUF76423P3.pdf2.HUF76423P3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:HUF76423P3-ND
HUF76423P3FS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:HUF76423P3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 35A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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