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IPA65R095C7XKSA1
- Modello di prodotti:
- IPA65R095C7XKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V TO220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17628 Pieces
- Scheda dati:
- IPA65R095C7XKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 590µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-FP |
| Serie: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 95 mOhm @ 11.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 34W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | SP001080126 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPA65R095C7XKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2140pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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