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IPA65R1K5CEXKSA1
- Modello di prodotti:
- IPA65R1K5CEXKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V TO220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17995 Pieces
- Scheda dati:
- IPA65R1K5CEXKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220 Full Pack |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 30W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | SP001429484 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPA65R1K5CEXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 225pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 5.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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