IPB037N06N3 G
IPB037N06N3 G
Modello di prodotti:
IPB037N06N3 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19564 Pieces
Scheda dati:
IPB037N06N3 G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):188W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB037N06N3 G-ND
IPB037N06N3G
IPB037N06N3GATMA1
SP000397986
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB037N06N3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11000pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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