IPB070N06L G
IPB070N06L G
Modello di prodotti:
IPB070N06L G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15523 Pieces
Scheda dati:
IPB070N06L G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):214W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB070N06L G-ND
IPB070N06LGINTR
IPB070N06LGXT
SP000204172
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB070N06L G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4300pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:126nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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