IPB120P04P4L03ATMA1
IPB120P04P4L03ATMA1
Modello di prodotti:
IPB120P04P4L03ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14350 Pieces
Scheda dati:
IPB120P04P4L03ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 340µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.1 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):136W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB120P04P4L03ATMA1TR
SP000842284
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB120P04P4L03ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:234nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 40V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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