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IPB60R199CPAATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB60R199CPAATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19007 Pieces
- Scheda dati:
- IPB60R199CPAATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 1.1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 139W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000539966 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB60R199CPAATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1520pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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