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IPB60R199CP
- Modello di prodotti:
- IPB60R199CP
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19111 Pieces
- Scheda dati:
- IPB60R199CP.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB60R199CP, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB60R199CP via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 660µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 139W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB60R199CP-ND IPB60R199CPATMA1 SP000223256 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB60R199CP |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1520pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 16A TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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