IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4
Modello di prodotti:
IPD30N06S2L13ATMA4
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16690 Pieces
Scheda dati:
IPD30N06S2L13ATMA4.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 80µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3-11
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:13 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):136W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD30N06S2L13ATMA4-ND
IPD30N06S2L13ATMA4TR
SP001061280
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:IPD30N06S2L13ATMA4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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