Acquistare IPD30N08S2L-21 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 80µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 20.5 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 136W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi: | IPD30N08S2L-21-ND IPD30N08S2L21 IPD30N08S2L21ATMA1 SP000252170 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
codice articolo del costruttore: | IPD30N08S2L-21 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1650pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |