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IPD640N06LGBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD640N06LGBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12509 Pieces
- Scheda dati:
- IPD640N06LGBTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 16µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 64 mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 47W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD640N06L G IPD640N06L G-ND IPD640N06LG IPD640N06LGINTR IPD640N06LGINTR-ND IPD640N06LGXT SP000203939 SP000443766 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD640N06LGBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 18A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 18A TO-252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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