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IPI65R150CFDXKSA1
- Modello di prodotti:
- IPI65R150CFDXKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13679 Pieces
- Scheda dati:
- IPI65R150CFDXKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 900µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 195.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPI65R150CFDXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2340pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 22.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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