Acquistare IPI65R190CFDXKSA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 730µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 151W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi: | IPI65R190CFD IPI65R190CFD-ND SP000905386 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
codice articolo del costruttore: | IPI65R190CFDXKSA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |