IPP057N06N3GHKSA1
IPP057N06N3GHKSA1
Modello di prodotti:
IPP057N06N3GHKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12889 Pieces
Scheda dati:
IPP057N06N3GHKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 58µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):115W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP000446780
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPP057N06N3GHKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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