IPP05N03LB G
IPP05N03LB G
Modello di prodotti:
IPP05N03LB G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14470 Pieces
Scheda dati:
IPP05N03LB G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 40µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.3 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):94W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP05N03LB G-ND
IPP05N03LBGIN
IPP05N03LBGX
IPP05N03LBGXK
SP000065247
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPP05N03LB G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3209pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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