Acquistare IPP65R110CFDXKSA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1.3mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO-220-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 277.8W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | IPP65R110CFD IPP65R110CFD-ND SP000895226 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
codice articolo del costruttore: | IPP65R110CFDXKSA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 700V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 700V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |