IPP65R190CFDXKSA1
IPP65R190CFDXKSA1
Modello di prodotti:
IPP65R190CFDXKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18366 Pieces
Scheda dati:
IPP65R190CFDXKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 730µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):151W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IPP65R190CFDXKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17.5A (Tc)
Email:[email protected]

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