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IRF5801TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF5801TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15806 Pieces
- Scheda dati:
- IRF5801TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF5801TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF5801TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro6™(TSOP-6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 360mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | IRF5801TRPBF-ND IRF5801TRPBFTR SP001570104 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF5801TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 88pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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