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IRF6156
- Modello di prodotti:
- IRF6156
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18880 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6156.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-FlipFet™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2.5W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 6-FlipFet™ |
| Altri nomi: | *IRF6156 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6156 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRF6156
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | Inchiesta |
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | Inchiesta |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | Inchiesta |
|
IRF6150 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET | Inchiesta |
 |
CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | Inchiesta |
 |
SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | Inchiesta |
 |
SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | Inchiesta |
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | Inchiesta |
 |
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
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