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IRF640NPBF
- Modello di prodotti:
- IRF640NPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17587 Pieces
- Scheda dati:
- IRF640NPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF640NPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF640NPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | *IRF640NPBF SP001570078 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF640NPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1160pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 67nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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