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IRF640NSTRRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF640NSTRRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16285 Pieces
- Scheda dati:
- IRF640NSTRRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF640NSTRRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF640NSTRRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IRF640NSTRRPBF-ND IRF640NSTRRPBFTR SP001561802 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF640NSTRRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1160pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 67nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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